[发明专利]动态随机存取存储器装置与其制作方法无效

专利信息
申请号: 201010509283.4 申请日: 2010-09-29
公开(公告)号: CN102130127A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 沈载勋 申请(专利权)人: 沈载勋
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 韩国仁川市延寿区松岛*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明有关于一种存储单元动态随机存取存储器装置与其制作方法。其中装置包含:数条彼此平行排列于一方向的字线、数条彼此平行且与字线交错的位线、数个存储单元,存储单元具有晶体管与电性连接晶体管的源极的电容,晶体管的栅极经字线接触点电性连接字线,晶体管的漏极经位线接触点电性连接位线。连接字线的字线接触点与连接相邻字线的字线接触点交替排列,连接位线连接的位线接触点与连接相邻位线的位线接触点交替排列。两相邻存储单元中的晶体管的栅极电性连接相应的字线接触点,两相邻存储单元中的晶体管的漏极电性连接相应的位线接触点。两存储单元中与字线接触点电性连接的晶体管的漏极,经由每一不同的接触点而与每一不同的位线电性连接。
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 装置 与其 制作方法
【主权项】:
一种动态随机存取存储器装置,其特征在于,包含:数条彼此平行排列于一方向的字线;数条彼此平行且与字线交错的位线;以及数个存储单元,其具有一晶体管与一电性连接该晶体管的源极的电容,在上述存储单元中,该晶体管的一栅极电性连接字线,而该晶体管的一漏极则电性连接位线,其中,连接一字线的栅极与连接相邻字线的栅极交替排列,而连接一位线的漏极与连接相邻位线的漏极交替排列,并且在位线方向相邻的两存储单元中的晶体管的栅极电性连接一相应的字线,而在字线方向相邻的两存储单元中的晶体管的漏极电性连接一相应的位线。
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