[发明专利]制造高亮度垂直式发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201010509326.9 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102447020A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张翔思;叶念慈;吕坤圃;王朝成 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造高亮度垂直式发光二极管的方法，其包括在经图案化的第一基板上形成多个磊晶材料层，其中，该多个磊晶材料层与经图案化的第一基板接触面为第一表面，且该第一表面形成与该经图案化的第一基板相对应的图案；在该多个磊晶材料层上设置第二基板；移除该第一基板以曝露该第一表面；使该第一表面平坦化，以去除其上与该第一基板相对应的图案，由此形成平坦的第二表面；以及于该第二基板背侧形成第一电极并在该第二表面上形成第二电极，通过适当的表面粗化处理，可使该组件的发光亮度有所提升。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 亮度 垂直 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制造垂直式发光二极管的方法，其包括：在经图案化的第一基板上形成多个磊晶材料层，其中，所述多个磊晶材料层与经图案化的第一基板接触面为第一表面，且所述第一表面形成与所述经图案化的第一基板相对应的图案；在所述多个磊晶材料层上设置第二基板；移除所述第一基板以曝露所述第一表面；使所述第一表面平坦化，以去除其上与所述第一基板相对应的图案，由此形成平坦的第二表面；以及在所述第二基板背侧形成第一电极并在所述第二表面上形成第二电极。
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