[发明专利]双层相变电阻及其形成方法、相变存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201010509349.X | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102447059A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双层相变电阻及其形成方法、相变存储器及其形成方法，其中双层相变电阻的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有第一层相变电阻；在第一层相变电阻上形成具有第一开口的第一介质层，第一开口暴露出第一层相变电阻；形成第二介质层，覆盖第一开口的侧壁，所述第二介质层围成第二开口；在第二开口内形成第三介质层，且第三介质层与第二介质层之间形成有环形开口；形成第二层相变电阻，第二层相变电阻覆盖第一介质层、第二介质层、第三介质层且填充环形开口。本发明可以确保第二层相变电阻和第一层相变电阻的连接部的关键尺寸小，提高PCRAM的性能，可以降低复位电流，提高设置速度。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 相变 电阻 及其 形成 方法 存储器 | ||
【主权项】：
一种双层相变电阻的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有第一层相变电阻；在所述第一层相变电阻上形成具有第一开口的第一介质层，所述第一开口暴露出所述第一层相变电阻；形成第二介质层，覆盖所述第一开口的侧壁，且所述第二介质层围成第二开口；在所述第二开口内形成第三介质层，且所述第三介质层与所述第二介质层之间形成有环形开口；形成第二层相变电阻，所述第二层相变电阻覆盖所述第一介质层、第二介质层、第三介质层且填充所述环形开口。
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