[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极；于栅极上方的栅绝缘层上形成氧化物半导体层以覆盖栅绝缘层、源极与漏极；于氧化物半导体层上形成材料层；薄化材料层；令材料层氧化以于氧化物半导体层上形成一紫外光遮蔽材料层；以及图案化紫外光遮蔽材料层以及氧化物半导体层以形成氧化物通道层与紫外光遮蔽图案，其中氧化物信道层覆盖源极的部分区域与漏极的部分区域，而紫外光遮蔽图案位于氧化物信道层上。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于一基板上形成一栅极；于该基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；于该栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的一源极与一漏极；于该栅极上方的该栅绝缘层上形成一氧化物半导体层以覆盖该栅绝缘层、该源极与该漏极；于该氧化物半导体层上形成一材料层；薄化该材料层；令该材料层氧化以于该氧化物半导体层上形成一紫外光遮蔽材料层；以及图案化该紫外光遮蔽材料层以及该氧化物半导体层以形成一氧化物通道层与一紫外光遮蔽图案，其中该氧化物信道层覆盖该源极的部分区域与该漏极的部分区域，而该紫外光遮蔽图案位于该氧化物信道层上。