[发明专利]具有额外电容结构的半导体组件及其制作方法

摘要

本发明公开了半导体组件，其包括一具有一导电类型的半导体基底、一源极金属层、一栅极金属层、至少一晶体管组件、一具有导电类型的重掺杂区、一电容介电层以及一导电层。源极金属层与栅极金属层设于半导体基底上。晶体管组件设于源极金属层正下方的半导体基底内。重掺杂区、电容介电层以及导电层构成一电容结构，设于栅极金属层正下方，并电性连接至晶体管组件的源极与漏极之间。电容结构并未占据设于源极金属层下方的晶体管组件的设置空间，进一步有效避免因设置额外电容结构而缩减晶体管组件的大小。

主权项

一种具有额外电容结构的半导体组件，其特征在于，包括，一半导体基底，具有一上表面与一下表面，其中该半导体基底具有一第一导电类型；一源极金属层，覆盖于该半导体基底的该上表面；一栅极金属层，覆盖于该半导体基底的该上表面；一漏极金属层，设于该半导体基底的该下表面；一晶体管组件，设于该源极金属层与该漏极金属层间的该半导体基底内，且该晶体管组件具有一源极、一栅极以及一漏极，其中该源极电性连接该源极金属层，该栅极电性连接该栅极金属层，且该漏极电性连接该漏极金属层；一重掺杂区，设于该栅极金属层与该漏极金属层间的该半导体基底内，且该重掺杂区具有该第一导电类型；一电容介电层，覆盖于该半导体基底上，且与该重掺杂区相接触；一导电层，设于该电容介电层与该栅极金属层之间，且电性连接至该源极金属层，其中该重掺杂区、该电容介电层以及该导电层构成一电容结构；以及一层间介电层，设于该源极金属层与该半导体基底之间，以及设于该栅极金属层与该导电层之间。