[发明专利]基板载置台的温度控制系统及其温度控制方法无效
申请号: | 201010509463.2 | 申请日: | 2010-10-14 |
公开(公告)号: | CN102041487A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 佐佐木康晴;野中龙;长山将之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组,该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆,上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中,上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质,上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间,在使基座的温度上升时,利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。 | ||
搜索关键词: | 基板载置台 温度 控制系统 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种基板载置台的温度控制系统,该基板载置台用于载置被实施规定处理的基板且内置有加热单元和热介质流路,其特征在于,该温度控制系统包括:热介质供给装置,其与上述热介质流路相连接而将第一温度的第一热介质供给到上述热介质流路中;热介质储存装置,其配置在上述热介质流路与上述热介质供给装置之间,用于储存温度比上述第一温度高的第二温度的第二热介质;热介质供给控制装置,其配置在上述热介质供给装置与上述热介质流路之间、以及上述热介质储存装置与上述热介质流路之间,该热介质供给控制装置进行如下控制:在上述加热单元发热时,停止自上述热介质供给控制装置向上述热介质流路供给上述第一热介质、且自上述热介质储存装置向上述热介质流路供给上述第二热介质。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的