[发明专利]混频器带宽扩展方法及装置有效
| 申请号： | 201010509660.4 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102457230A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 苏剑锋 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 梁军 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混频器带宽扩展方法及装置。该方法包括：将偏置电路输出的直流电平偏置于共栅级金属氧化物半导体MOS管和共源级MOS管上；共栅级MOS管和共源级MOS管将射频信号完成从电压到电流的转换，并完成从单端信号到差分信号的转换；共源级MOS管和其源端、栅端的电感组成源端电感负反馈结构，源端电感负反馈结构通过与共栅级MOS管、以及共栅级MOS管源端级联的电感构成混频器的输入宽带匹配网络，并通过输入宽带匹配网络吸收跨导级产生的寄生电容。借助于本发明的技术方案，能够提高工作频率、以及工作带宽，节省了电路所占面积，节约了电路功耗，在不减小混频器转换增益的情况下，噪声更低。 | ||
| 搜索关键词： | 混频器 带宽 扩展 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种混频器工作带宽扩展方法，其特征在于，包括：将偏置电路输出的直流电平偏置于共栅级金属氧化物半导体MOS管和共源级MOS管上；所述共栅级MOS管和所述共源级MOS管将射频信号完成从电压到电流的转换，并完成从单端信号到差分信号的转换；所述共源级MOS管和其源端、栅端的电感组成源端电感负反馈结构，所述源端电感负反馈结构通过与所述共栅级MOS管、以及共栅级MOS管源端级联的电感构成所述混频器的输入宽带匹配网络，并通过所述输入宽带匹配网络吸收所述跨导级产生的寄生电容。
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