[发明专利]一种P-MOS管驱动电路及其驱动方法

摘要

一种P-MOS管驱动电路及其驱动方法，属于电子技术领域。所述P-MOS管驱动电路，包括P-MOS管Q2、电源输入端Vin和电源输出端Vout，分压电阻R1、R2，续流二极管D1，自举电容C1，三极管Q1和上拉电阻R3；所述驱动方法主要是利用自举电容C1两端电压不能突变的原理，设计了自举升压电路，利用三极管Q1与续流二极管D1的性能，使P-MOS管迅速导通和迅速截止。本发明所述的P-MOS管驱动电路及其驱动方法，其不需要利用专门的MOS管驱动芯片，能实现P-MOS管工作在完全导通或者截止的状态，其电路简单，成本低廉。

主权项

一种P‑MOS管驱动电路，包括P‑MOS管Q2、电源输入端Vin和电源输出端Vout，其特征在于：所述P‑MOS管驱动电路还包括分压电阻R1、R2，续流二极管D1，自举电容C1，三极管Q1和上拉电阻R3；电源输入端Vin经过P‑MOS管Q2的栅、源极间的上拉电阻R3后，通过分压电阻R2和R1串联后再连接到PWM控制芯片的OUT输出端；电阻R1，R2之间接所述自举电容C1的一端，自举电容C1的另一端与所述续流二极管D1的负极和所述三极管Q1的基极相连接，所述续流二极管D1的正极与电阻R2一端和P‑MOS管Q2的栅极相连接；所述P‑MOS管Q2的上拉电阻R3的一端与所述三极管Q1的集电极和P‑MOS管Q2的源极相连接，同时与电源输入端Vin连接，所述上拉电阻R3的另一端与所述三极管Q1的发射极和P‑MOS管Q2的栅极相连接；所述P‑MOS管Q2的漏极与电源输出端Vout相连接。