[发明专利]检测晶片表面形貌的方法有效
申请号: | 201010509829.6 | 申请日: | 2010-10-18 |
公开(公告)号: | CN102455600A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 王辉;安辉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种检测晶片表面形貌的方法,包括:选取包括具有相同的全部相对表面形貌的多个管芯的晶片;选取第一管芯,使检测点阵列的中心位置对准第一管芯的中心位置,通过检测第一管芯的第一绝对表面形貌确定其第一相对表面形貌;选取第二管芯,使检测点阵列的中心位置偏离第二管芯的中心位置,通过检测第二管芯的第二绝对表面形貌确定其第二相对表面形貌;合并第一相对表面形貌和第二相对表面形貌确定管芯的全部相对表面形貌;检测晶片上的其它管芯的部分绝对表面形貌,通过部分绝对表面形貌和全部相对表面形貌,得到所有的管芯的全部绝对表面形貌。根据本发明,能够避免由于光点间具有间距而产生的“盲点”问题。 | ||
搜索关键词: | 检测 晶片 表面 形貌 方法 | ||
【主权项】:
一种检测管芯表面形貌的方法,包括:选取晶片,所述晶片具有多个管芯,所有的管芯具有相同的全部相对表面形貌;选取所述晶片上的第一管芯,使调焦调平系统的检测点阵列的中心位置对准所述第一管芯的中心位置,所述检测点阵列的具有多个相同的光点,所述光点为长方形,所述光点的宽度不小于所述光点间的间距,通过检测所述第一管芯的第一绝对表面形貌确定所述第一管芯的第一相对表面形貌;选取所述晶片上的第二管芯,使所述调焦调平系统的检测点阵列的中心位置偏离所述第二管芯的中心位置,所述偏离的距离不小于所述检测点阵列中的光点的间距且不大于所述检测点阵列与所述管芯的宽度之差的一半,通过检测所述第二管芯的第二绝对表面形貌确定所述第二管芯的第二相对表面形貌;合并所述第一相对表面形貌和所述第二相对表面形貌,以确定所述所有的管芯的全部相对表面形貌。
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