[发明专利]像素结构有效
| 申请号： | 201010510081.1 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102062982A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 柳智忠;曹岩 | 申请（专利权）人： | 深超光电（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦;李庆波 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种像素结构，包括：扫描线及数据线，两者彼此交错并且电绝缘；栅极，与扫描线电性连接；源极，至少部分位于栅极上并连接至数据线；漏极，至少部分位于栅极上并与源极对向配置；像素电极，包括一主体部和一延伸部，主体部与漏极电性连接，延伸部与主体部电性相连，且延伸部与栅极及漏极部份重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 | ||
【主权项】：
一种像素结构，包括：一扫描线及一数据线，彼此交错并且电绝缘；一栅极，与该扫描线电性连接；一源极，至少部分位于该栅极上并连接至该数据线；一漏极，至少部分位于该栅极上并与该源极对向配置；一像素电极，该像素电极包括一主体部和一延伸部，该主体部与该漏极电性连接，该延伸部与该主体部电性相连，且该延伸部与该栅极及该漏极部分重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深超光电（深圳）有限公司，未经深超光电（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010510081.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
