[发明专利]金属硅化物的形成方法无效
| 申请号： | 201010510309.7 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102456557A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;徐强;唐兆云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属硅化物的形成方法，该方法包括：沉积金属硅化物阻挡层后，进行热烘烤，然后再对金属硅化物阻挡层进行刻蚀，暴露出接触孔形成区域对应的半导体衬底表面或栅极结构后，沉积金属，最后进行快速退火处理，在暴露出的半导体衬底表面或栅极结构表面形成金属硅化物。采用本发明公开的方法能够降低同一批产品的金属硅化物阻挡层的单位面积电阻值的差异。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硅化物的形成方法，该方法包括：在半导体衬底表面形成栅极结构；向半导体衬底进行轻掺杂漏LDD注入，在栅极结构两侧的半导体衬底上形成轻掺杂漏极和轻掺杂源极；在栅极结构两侧形成侧壁层；向半导体衬底进行离子注入，在侧壁层两侧的半导体衬底上形成漏极和源极；沉积金属硅化物阻挡层后，进行热烘烤；对金属硅化物阻挡层进行刻蚀，暴露出接触孔形成区域对应的半导体衬底表面或栅极结构后，沉积金属，然后进行快速退火处理，在暴露出的半导体衬底表面或栅极结构表面形成金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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