[发明专利]一种无取向硅钢薄带及其制备方法

摘要

本发明属于冶金技术与材料科学领域，具体涉及一种无取向硅钢薄带及其制备方法。本发明所涉及的无取向硅钢薄带，其化学成分按重量百分比计为：Si:3.0～3.6%，Al:0.6～1.0%，Mn:0.1～0.6%，N≤0.005%，S≤0.004%，P≤0.02%，O≤0.003%，C≤0.005%，余量为Fe。无取向硅钢在真空冶炼炉中进行冶炼；然后进行双辊薄带铸轧；铸带在1100℃～1150℃常化3min～5min；预热150℃～300℃进行冷轧；最后进行再结晶退火。该制备方法工艺简单，能耗低，成材率高，产品磁性能优良。

主权项

一种无取向硅钢薄带，其特征在于化学成分按重量百分比计为：Si:3.0～3.6%，Al:0.6～1.0%，Mn:0.1～0.6%，N ≤0.005%，S ≤0.004%，P ≤0.02%，O ≤0.003%，C ≤0.005%，余量为Fe，厚度为0.5mm的无取向硅钢薄带鉄损值P15/50在2.3～2.7W/kg，磁感应强度在1.74T以上。