[发明专利]透明导电性薄膜有效
| 申请号： | 201010510629.2 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102029756A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 才木隆史;今村直也 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/08 | 分类号： | B32B27/08;B32B27/18;B32B27/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东;谭邦会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种透明导电性薄膜，其包括设置在薄膜基底的一个表面上的聚合物层，和设置在聚合物层上的透明导电层，薄膜基底由聚酯形成，并被双向拉伸。薄膜基底的折射率η1与聚合物层的折射率η2的差|η1-η2|设置为至多0.02。聚合物层含有折射率ηP为至少1.80的金属氧化物颗粒，以及固定该颗粒、且折射率ηB为至少1.60的粘结剂。金属氧化物颗粒相对于粘结剂的质量比设置为大于0％且等于或小于100％。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜，其包括：薄膜基底，所述薄膜基底由聚酯形成，并被双向拉伸；聚合物层，所述聚合物层在所述薄膜基底的一个表面上形成，并含有折射率ηP为至少1.80的金属氧化物颗粒，及固定所述颗粒、且折射率ηB为至少1.60的粘结剂，所述颗粒相对于所粘结剂的质量比为至多100％，所述薄膜基底的折射率η1与所述聚合物层的折射率η2的差为至多0.02；和在所述聚合物层上形成的透明导电层。
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