[发明专利]非易失性存储器器件以及其制造方法和操作方法无效
| 申请号： | 201010510702.6 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102074650A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 金德起;赵重来 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了非易失性存储器器件以及其制造方法和操作方法。一种非易失性存储器器件，其包括：至少一个水平电极；至少一个垂直电极，所述至少一个垂直电极被设置成与所述至少一个水平电极交叉于交叉区域；至少一个数据层，所述至少一个数据层被设置在所述交叉区域中，并且具有导电-绝缘转变特性；以及至少一个抗熔层，所述至少一个抗熔层与所述至少一个数据层串联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 器件 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器器件，包括：至少一个水平电极；至少一个垂直电极，所述至少一个垂直电极被设置成与所述至少一个水平电极交叉于交叉区域；至少一个数据层，所述至少一个数据层被设置在所述交叉区域中，并且具有导电‑绝缘转变特性；以及至少一个抗熔层，所述至少一个抗熔层与所述至少一个数据层串联连接。
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