[发明专利]积层薄膜电容的制造方法及产品无效
| 申请号： | 201010510990.5 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102024564A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杨栋;金亨泰 | 申请（专利权）人： | 青岛杨金电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/005;H01G4/06 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人： | 王静毅 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种积层薄膜电容的制造方法，在硅晶片或电介质层面上利用物理气相沉积形成电极图像层；在内部电极层上面利用原子层沉积形成电介质层；将该电介质层退火；重复进行积层，达到电容量需要的层数后将电容组件切割、组装外部电极制成电容。电极层的厚度均匀而且很薄，在100nm以下，电介质薄膜的厚度可以精密控制，电容器面积精密度可达100μm2以内，电容容量误差是传统MLCC容量误差的1/6以下。因为单层电容厚度小，成本低、重现性好、电性能稳定，因此可以制造小体积大容量的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容 制造 方法 产品 | ||
【主权项】：
一种积层薄膜电容的制造方法，该方法包括下列步骤：①在硅晶片或电介质层面上利用物理气相沉积形成电极图像层，在制作内部电极图像层的过程中使用合金模具的溅镀方式或光模具的溅镀方式；②在该内部电极层上面利用原子层沉积形成电介质层；③将该电介质层在氧气和氮气的混合气体或氧气和氩气的混合气体或氧气的环境中退火；④重复进行上述过程进行积层，达到电容量需要的层数后成为电容组件；⑤将电容组件进行切割、组装外部电极制成电容。
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