[发明专利]高压静电保护器件

摘要

本发明公开了一种高压静电保护器件，包括一硅控整流器、一第一PNP管，硅控整流器包括第一高压P阱、第二高压N阱；第一高压P阱中形成有第一N+扩散区和第一P+扩散区；第二高压N阱中形成有第二N+扩散区和第二P+扩散区；第一PNP管包括一N型埋层，N型埋层中形成有一低压N阱，低压N阱中形成有第一PNP管的基极、发射极、集电极；第一PNP管的基极、发射极短接；第一PNP管的集电极同所述第二N+扩散区和第二P+扩散区短接；第一N+扩散区和第一P+扩散区短接，用作接地端。本发明还公开了另一种高压静电保护器件。本发明的高压静电保护器件，既能有效调节静电保护的触发电压，又能提高器件开启后的骤回维持电压。

主权项

一种高压静电保护器件，其特征在于，包括一硅控整流器、一第一PNP管，所述硅控整流器、第一PNP管形成在硅衬底的P型外延上；所述控整流器包括第一高压P阱、第二高压N阱；所述第一高压P阱、第二高压N阱相邻接；所述第一高压P阱中形成有第一N+扩散区和第一P+扩散区；所述第二高压N阱中形成有第二N+扩散区和第二P+扩散区；所述第一PNP管包括一N型埋层，所述N型埋层中形成有一低压N阱，所述低压N阱中形成有所述第一PNP管的基极、发射极、集电极；所述第一PNP管的基极、发射极短接；所述第一PNP管的集电极同所述第二N+扩散区和第二P+扩散区短接；所述第一N+扩散区和第一P+扩散区短接，用作接地端。