[发明专利]发光元件及其制法有效
| 申请号： | 201010511905.7 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102456775A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅;刘美君;陶青山;吕志强;谢明勋 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光元件的制法，其步骤包括：提供一第一基板，其上形成有以沟槽为间隔的多个发光叠层；以一液态的介电材料填入沟槽中及发光叠层的一侧表面上；以及进行一固化程序，以形成填充于沟槽中的一隔离部、及形成于发光叠层上的一介电层。基于上述制法，本发明也揭示一种发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种发光元件的制法，其步骤包括：提供一第一基板；形成多个发光叠层于该第一基板上，其步骤包括：形成一半导体叠层于该第一基板上，该半导体叠层包括形成于该第一基板上的一第一半导体层、形成于该第一半导体层上的一发光层、以及形成于该发光层上的一第二半导体层；以及形成至少一沟槽于该半导体叠层中，以形成该些发光叠层；以一液态介电材料填入该沟槽中及该些发光叠层上；以及进行一固化程序，以形成一介电结构，该介电结构包括填充于该沟槽中的一隔离部、及形成于该些发光叠层上的一介电层。
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