[发明专利]多层堆叠的存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010512040.6 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102034804A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张挺;宋志棠;刘旭焱;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L27/115;H01L21/98;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 堆叠 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层堆叠的存储器，其特征在于：存储器芯片包括外围电路和至少两层存储单元层以及与之对应的选通单元，所述存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元；在数据存储过程中，所述外围电路判断所需处理的数据类型，随后根据判断结果发送指令选择特定类型的存储器进行数据存储。
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