[发明专利]MEMS压力传感器有效
| 申请号： | 201010512735.4 | 申请日： | 2010-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102032970A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 马菲积斯·斯维伦;扬·雅各布·科宁;赫尔曼·西恩拉德·威廉·贝吉林克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用于感测MEMS器件的密闭空腔中的压力的MEMS压力传感器，包括：具有压力传感器谐振器元件的谐振MEMS器件，所述压力传感器谐振器元件包括开口阵列。谐振MEMS器件的谐振频率是空腔中的压力的函数，谐振频率随压力而增大。在0到0.1KPa的压力范围上，频率的平均相对变化是至少10-6/Pa。本发明基于以下认识：对于快速振荡，弹力使谐振频率移位。因此，可以由其谐振频率对压力灵敏的器件来感测压力。 | ||
| 搜索关键词： | mems 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种用于感测MEMS器件附近的压力的MEMS压力传感器，包括：具有压力传感器谐振器元件(40)的单片谐振MEMS器件，所述压力传感器谐振器元件(40)包括开口阵列，其中，谐振MEMS器件的谐振频率是压力传感器附近的压力的函数，谐振频率随压力而增大，使得在0到0.1kPa的压力范围上，频率的平均相对变化是至少10‑6/Pa。
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