[发明专利]超薄芯片垂直互联封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201010513048.4 | 申请日: | 2010-10-12 |
公开(公告)号: | CN102024801A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 马盛林;孙新;朱韫晖;金玉丰;缪旻 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/065;H01L21/98 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种超薄芯片垂直互联封装结构及其制造方法。该结构包括由上至下依次叠放在一起的顶层、中介层和底层,所述中介层具有TSV垂直互联结构,所述中介层的正面和反面分别具有至少一层重新布局互联层,且分别具有微焊球或焊垫;所述顶层的有源层具有微焊球或焊垫,并面向所述中介层的正面;所述底层的有源层具有微焊球或焊垫,并面向所述中介层的背面。顶层芯片、底层芯片的正面分别装载在中介层芯片的正面、背面,避免了在顶层、底层芯片上制作TSV互联,有效地降低了顶层、底层芯片的损伤,提高了芯片的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 超薄 芯片 垂直 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种超薄芯片垂直互联封装结构,其特征在于,包括由上至下依次叠放在一起的顶层、中介层和底层,所述中介层具有TSV垂直互联结构,所述中介层的正面和反面分别具有至少一层重新布局互联层,且分别具有微焊球或焊垫;所述顶层的有源层具有微焊球或焊垫,并面向所述中介层的正面;所述底层的有源层具有微焊球或焊垫,并面向所述中介层的背面。
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