[发明专利]含芴、蒽和苯并二噻吩单元有机半导体材料及其制备方法和应用

摘要

本发明属于光电子材料领域，其公开了一类含芴、蒽和苯并二噻吩单元有机半导体材料，其具有以下通式(P)：式中，n为1～100之间的整数；m为1～20的整数；x、y为正实数值，且x+y＝1；R₁、R₂分别为氢、氟、氰基、具有C₁～C₄₀的直链或支链的烷基、具有C₁～C₄₀的直链或支链的烷氧基、芳基、或杂芳基；R₃为C₁～C₂₀的烷基。本发明还提供一类含芴、蒽和苯并二噻吩单元有机半导体材料的制备方法及其应用。本发明的一类含芴、蒽和苯并二噻吩单元单元有机半导体材料载流子迁移率高，吸光度强，对光吸收范围宽，提高了其对太阳光的利用率，其制备方法工艺简单、产率高、易于操作和控制。

主权项

1.下述通式(P)的一类含芴、蒽和苯并二噻吩单元有机半导体材料：式中，n为1～100之间的整数；m为1～20的整数；x、y为正实数值，且x+y＝1；R₁、R₂分别为氢、氟、氰基、具有C₁～C₄₀的直链或支链的烷基、具有C₁～C₄₀的直链或支链的烷氧基、芳基、或杂芳基；R₃为C₁～C₂₀的烷基。