[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010513624.5 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456788A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其包括一基板及生长于该基板上的若干磊晶结构，这些磊晶结构之间互不连接，以减小磊晶结构生长过程中的应力累积。一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一基板；利用微影技术在基板的其中一表面上制造出图案化的阻挡层区域；对阻挡层区域进行氧化或氮化处理，以使基板对应阻挡层区域的部分被氧化或氮化形成一阻挡层；在基板上的该表面上生长磊晶结构，磊晶结构于阻挡层处不生长而使得基板的该表面上形成若干间隔的磊晶结构。与现有技术相比，本发明的发光二极管在基板上生长多个互不连接的磊晶结构，以减少在基板上生长一整片磊晶结构所带来的应力累积。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括一基板及生长于该基板上的若干磊晶结构，这些磊晶结构之间互不连接，以减小磊晶结构生长过程中的应力累积。
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