[发明专利]化合物半导体晶片清洗方法有效
| 申请号： | 201010513860.7 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102064090A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 任殿胜;刘庆辉 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 吴晓萍;钟守期 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体晶片的清洗方法，尤其是以砷化镓(GaAs)为代表的III-V族化合物半导体晶片的清洗方法。本发明的方法可以改善晶片表面的清洁度、微观粗糙度及均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种III‑V族化合物半导体晶片清洗方法，包括以下步骤：(1)在不高于20℃的温度下，用稀释氨水、过氧化氢和水体系处理晶片；(2)用去离子水冲洗晶片；(3)用一种氧化剂处理晶片；(4)用去离子水冲洗晶片；(5)用一种稀酸或稀碱溶液处理晶片；(6)用去离子水冲洗晶片；和(7)使得到的晶片干燥。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京通美晶体技术有限公司，未经北京通美晶体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010513860.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
