[发明专利]一种低压轨至轨运算放大电路无效

专利信息
申请号: 201010514095.0 申请日: 2010-10-19
公开(公告)号: CN101958692A 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 黄海云;应智花 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种低压轨至轨运算放大电路。本发明电路包括三个电阻、三个电容、19个P型MOS管和17个N型MOS管。该电路采用适合于低电压的电流型跨导器,折叠共源共栅放大电路和低功耗的AB类推挽输出电路等子电路结构,克服了传统电压型运算放大器深受阈值电压限制的缺点,采用了适合于低电压要求的电路单元,在电路结构上进行了改进,从而在常规的CMOS工艺下实现了低电压、低功耗的性能。该电路采用电流型跨导器,获得了rail-to-rail共模电压输入和良好的频率响应;增益级采用折叠式共源共栅放大电路,获得了高电压增益和高电源抑制比;输出级采用两对反相器的AB类推挽输出电路,获得了高驱动能力,具有rail-to-rail共模电压输出和极低的谐波失真。
搜索关键词: 一种 低压 轨至轨 运算 放大 电路
【主权项】:
一种低压轨至轨运算放大电路,包括三个电阻、三个电容、19个P型MOS管和17个N型MOS管,其特征是:第一P型MOS管P1的漏极与偏置电阻R1的一端连接,第一N型MOS管N1的源极和栅极以及第四N型MOS管N4的栅极与第二P型MOS管P2的漏极连接,第三P型MOS管P3的栅极和漏极与分压电阻R2的一端连接;第四P型MOS管P4的漏极和栅极以及第五P型MOS管P5的栅极与第三P型MOS管P3的源极连接,第四N型MOS管N4的源极、第五N型MOS管N5的漏极和第六N型MOS管N6的漏极与分压电阻R2的另一端连接;第三N型MOS管N3的栅极和源极、第二N型MOS管N2的栅极、第五N型MOS管N5的栅极和第六P型MOS管P6的源极连接,第五P型MOS管P5的漏极、第六P型MOS管P6的漏极、第六N型MOS管N6的栅极和第七P型MOS管P7的源极连接,第六P型MOS管P6的栅极与差分信号输入端的负端Vin‑连接,第七P型MOS管P7的栅极与差分信号输入端的正端Vin+连接;第二N型MOS管N2的源极、第六N型MOS管N6的源极、第九P型MOS管P9的源极和第十一P型MOS管P11的漏极连接;第八P型MOS管P8的源极、第十P型MOS管P10的漏极、第五N型MOS管N5的源极和第八N型MOS管N8的源极连接;第七N型MOS管N7的栅极和源极以及第八N型MOS管N8的栅极与第七P型MOS管P7的漏极连接,第九N型MOS管N9的栅极和源极以及第十N型MOS管N10的栅极与第八P型MOS管P8的漏极连接;第十N型MOS管N10的源极、第十一N型MOS管N11的珊极、第九P型MOS管P9的漏极和第十二P型MOS管P12的漏极与第二滤波电容C2的一端连接,第十三N型MOS管N13的源极、第十四N型MOS管N14的源极、十六P型MOS管P16的漏极、十七P型MOS管P17的漏极以及负载电容C3的一端和负载电阻R3的一端与第二滤波电容C2的另一端连接,负载电容C3的另一端和负载电阻R3的另一端接地;第十一N型MOS管N11的源极、第十三P型MOS管P13的漏极、第十四P型MOS管P14的珊极和第十八P型MOS管P18的珊极与第一滤波电容C1的一端连接,第一滤波电容C1的另一端与第十二P型MOS管P12的源极连接;第十五P型MOS管P15的漏极和栅极、第十四P型MOS管P14的漏极、第十六P型MOS管P16的栅极、第十二N型MOS管N12的源极和第十三N型MOS管N13的珊极连接;第十五N型MOS管N15的源极和栅极、第十四N型MOS管N14的栅极、第十六N型MOS管N16的源极、第十七P型MOS管P17的珊极和第十八P型MOS管P18的漏极连接,第十六N型MOS管N16的珊极和第十七N型MOS管N17的珊极与第十二N型MOS管N12的珊极连接,第十七N型MOS管N17的源极与十九P型MOS管P19的漏极连接;第一P型MOS管P1的栅极、第二P型MOS管P2的栅极、第十P型MOS管P10的栅极、第十一P型MOS管P11的栅极、第十三P型MOS管P13的栅极和第十九P型MOS管P19的栅极连接;第一P型MOS管P1的源极、第二P型MOS管P2的源极、第四P型MOS管P4的源极、第五P型MOS管P5的源极、第十P型MOS管P10的源极、第十一P型MOS管P11的源极、第十三P型MOS管P13的源极、第十四P型MOS管P14的源极、第十五P型MOS管P15的源极、第十六P型MOS管P16的源极、第十七P型MOS管P17的源极、第十八P型MOS管P18的源极、第十九P型MOS管P19的源极和第十二P型MOS管P12的衬底接地;第一N型MOS管N1的漏极、第二N型MOS管N2的漏极、第三N型MOS管N3的漏极、第四N型MOS管N4的漏极、第七N型MOS管N7的漏极、第八N型MOS管N8的漏极、第九N型MOS管N9的漏极、第十N型MOS管N10的漏极、第十一N型MOS管N11的漏极、第十二N型MOS管N12的漏极、第十三N型MOS管N13的漏极、第十四N型MOS管N14的漏极、第十五N型MOS管N15的漏极、第十六N型MOS管N16的漏极、第十七N型MOS管N17的漏极、第五N型MOS管N5的衬底、第六N型MOS管N6的衬底、第八P型MOS管P8的珊极、第九P型MOS管P9的珊极、第十二P型MOS管P12的珊极以及偏置电阻R1的另一端均与1.5V电源VDD连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010514095.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top