[发明专利]一种等离子体浸没注入设备的剂量控制系统

摘要

本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入设备的剂量控制系统。该控制系统包括位于离子注入设备内部的信号采集器，外围的信号测量设备以及计算机处理系统。其中信号采集器的设计依据及计算机自动控制系统的算法包含了本发明系统提供的离子注入剂量标定方法。系统通过信号采集器收集离子注入信号，而后通过测量设备测量信号，最后通过计算机系统处理信号获得离子注入信息，并控制等离子体浸没注入设备的工作。本发明系统解决了等离子体浸没注入剂量测定工作的复杂性，从而有效进行离子注入剂量的标定和控制。本发明系统可以在各类等离子体浸没注入的设备中使用。

主权项

1.一种等离子体浸没注入剂量标定方法，其特征在于在等离子体浸没注入装置中，首先通过示波器实时测定离子注入脉冲的电压电流，即在高压脉冲电源和等离子腔体以及靶台两端形成电路回路，从高压探头处测定脉冲电压，在回路线路中测定相应脉冲内的回路电流；然后采用积分回路电流并除去二次电子贡献进行离子注入剂量计算，其计算的公式为：，其中η₀为特定条件下的离子注入的二次电子产生效率，δ为不同条件下二次电子产生效率的修正因子，它与不同的离子注入类型并且和不同的注入参数设置相关，t_p为脉冲电压脉宽，I为实测电流，e为注入离子电量，A为靶材面积，t为整体注入时间，f为脉冲电压频率，D_im为单位面积离子注入剂量。