[发明专利]一种基于石墨烯电极的功能化分子电子器件及其制备方法与应用有效
申请号: | 201010514700.4 | 申请日: | 2010-10-14 |
公开(公告)号: | CN102456702A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 郭雪峰;曹阳 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L51/00;H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种高产率、批量制备阵列的功能化分子电子器件的普适性方法。该方法包括下述步骤:1)光刻构建石墨烯晶体管器件;2)在步骤1)中得到的石墨烯器件中切割得到1-10nm大小的纳米间隙;3)进行一步或多步连接反应,将不同的分子连接到切割器件中间,得到原位连接的单分子器件。本发明可以高产率、批量制备阵列化的分子电子器件,方法可控、高效。选择不同的分子体系,可以构建超灵敏、多功能的分子电子器件,可用于光电器件制备,分子级别质子或离子响应,生物检测,疾病或药物检测等方面。而且,分子器件结构与宏观器件类似,更有利于高度集成,有很好的工业应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 电极 功能 化分 电子器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种基于石墨烯电极的分子电子器件,包括:a)石墨烯晶体管器件阵列,所述石墨烯晶体管器件阵列中每个石墨烯晶体管器件均包括栅极、源极、漏极和导电沟道,所述导电沟道为石墨烯;其中,在所述石墨烯上设有由氧等离子体刻蚀石墨烯得到的一个通道,所述通道上间隔设有长度为1‑10nm的分子连接部位,所述分子连接部位与所述石墨烯晶体管器件中的源极和漏极垂直;b)经末端氨基修饰的具有光电响应或质子、离子响应性质的功能分子或经末端氨基修饰的核酸适体,其连接于所述分子连接部位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的