[发明专利]一种晶体器件无效
| 申请号： | 201010515297.7 | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101980073A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 吴砺;任策;林江铭 | 申请（专利权）人： | 福州高意光学有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/37 | 分类号： | G02F1/37;G02B1/11 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 350014 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及光学器件领域，尤其涉及一种光学晶体器件。本发明的晶体器件，具体是：在一非线性晶体薄片的两侧的通光面处至少设有两个平行的膜系面，基频光以小角度入射进入该非线性晶体薄片，其中，第一通光面处的第一膜系面在入射光区域为增透介质膜，其他区域为高反介质膜，第二通光面处的第二膜系面在出射光区域为增透介质膜，其他区域为高反介质膜。本发明的晶体器件是一种能消除Walk-Off效应影响的晶体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 器件 | ||
【主权项】：
一种晶体器件，其特征在于：在一非线性晶体薄片（11）的两侧的通光面处至少设有两个平行的膜系面，基频光以小角度入射进入该非线性晶体薄片（11），其中，第一通光面处的第一膜系面在入射光区域（111）为增透介质膜，其他区域（112）为高反介质膜，第二通光面处的第二膜系面在出射光区域（125）为增透介质膜，其他区域（124）为高反介质膜。
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