[发明专利]凹陷沟道晶体管装置、包括其的显示设备及其制造方法无效
| 申请号： | 201010515597.5 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102064194A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 金荣睦;郑用相;李泰喆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王青芝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了凹陷沟道晶体管装置、包括其的显示设备及其制造方法，即凹陷沟道晶体管(RCT)装置、制造该RCT装置的方法以及包括该RCT装置的显示设备。RCT装置包括：基底，第一沟槽在第一基底中且具有第一宽度；第一栅极绝缘层，在第一沟槽的内壁上；第一凹陷栅极，在第一栅极绝缘层上，且在第一凹陷栅极的上表面的中心部分中具有凹槽；源极和漏极，在基底中并在第一凹陷栅极的两侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷 沟道 晶体管 装置 包括 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种凹陷沟道晶体管装置，所述凹陷沟道晶体管装置包括：基底，包括第一沟槽；栅极绝缘层，在基底上并在第一沟槽中；第一栅极，在栅极绝缘层上，凹槽在第一栅极的表面中；源极和漏极，在基底中并与第一栅极相邻。
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