[发明专利]一种高压FRD的截断型深槽结构及高压FRD的制作方法无效
| 申请号： | 201010516143.X | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102005385A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 红梅 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种高压FRD的截断型深槽结构及高压FRD的制作方法，所述高压FRD的截断型深槽结构，它包括一带有PN结的FRD二极管，在其表面淀积有一层氧化层，在其PN结的两端光刻并深槽DRIE刻蚀然后淀积有二氧化硅；所述的深槽深度远大于结深，它的深度至少与击穿时平面结耗尽区宽度相当；所述的深槽内侧生长有至少一层氧化层；所述的制作方法是：第一制作完成FRD二极管的PN结；第二在其表面淀积一层氧化层作为深槽刻蚀的阻挡层，然后光刻并深槽DRIE刻蚀用作终端的深槽；第三为了消除深槽刻蚀的缺陷，在深槽内侧生长一层氧化层，然后淀积二氧化硅把深槽完全填满；第四继续FRD二极管后续的制造工艺；它具有提高了FRD器件的击穿电压，使击穿电压接近平面结的击穿电压，降低了FRD器件的面积，降低了成本等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 frd 截断 型深槽 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压FRD的截断型深槽结构，它包括一带有PN结的FRD二极管，其特征在于在FRD二极管（2）表面淀积有一层氧化层（3），而在其PN结的两端光刻并深槽（4）DRIE刻蚀然后淀积有二氧化硅（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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