[发明专利]制造多晶硅层的方法、薄膜晶体管、显示装置及制造方法有效
| 申请号： | 201010517117.9 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102082077A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李东炫;李基龙;徐晋旭;梁泰勋;郑胤谟;朴炳建;李吉远;朴钟力;崔宝京;苏炳洙 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；半导体层，设置在缓冲层上；栅绝缘层，设置在基底的上方并设置在半导体层上；栅电极，设置在栅绝缘层上；源电极和漏电极，均电连接到半导体层；金属硅化物，设置在缓冲层和半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 多晶 方法 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种制造多晶硅层的方法，包括以下步骤：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
