[发明专利]纳米二氧化钛及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010517715.6 申请日: 2010-10-25
公开(公告)号: CN101985363A 公开(公告)日: 2011-03-16
发明(设计)人: 徐瑞芬;马卓尔;于义龙;解双英;张星 申请(专利权)人: 江苏考普乐新材料股份有限公司
主分类号: C01G23/047 分类号: C01G23/047;B82B3/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘金辉
地址: 213135 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及纳米二氧化钛,其含有:A)作为基体的半导体材料掺杂的纳米二氧化钛,其中半导体材料选自钨、铌、铬、铟、锡、锶、铁、钒、镓、锗或锌的氧化物,在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体中二氧化钛与以金属氧化物计的半导体材料的重量比为60∶40-96∶4,半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体的粒径不大于100nm;B)包覆在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体表面上的共轭体系有机物;和C)包覆在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体上的萜烯化合物;其中共轭体系有机物的含量基于所述半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体的重量为0.01-20重量%;萜烯化合物的含量基于半导体材料掺杂的纳米二氧化钛的重量为0.5-10重量%。本发明还涉及制备所述纳米二氧化钛的方法。
搜索关键词: 纳米 氧化 及其 制备 方法
【主权项】:
一种纳米二氧化钛,所述纳米二氧化钛含有:A)作为基体的半导体材料掺杂的纳米二氧化钛,其中半导体材料选自钨、铌、铬、铟、锡、锶、铁、钒、镓、锗或锌的氧化物,优选铁、锌、钒或锡的氧化物,在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体中二氧化钛与以金属氧化物计的半导体材料的重量比为60∶40‑96∶4,优选65∶35‑90∶10,半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体的粒径不大于100nm,优选不大于50nm;B)包覆在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体表面上的共轭体系有机物;和C)包覆在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体上的萜烯化合物;其中共轭体系有机物的含量基于所述半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体的重量为0.01‑20重量%,优选0.05‑15重量%,更优选0.1‑10重量%;萜烯化合物的含量基于半导体材料掺杂的纳米二氧化钛的重量为0.5‑10重量%,优选1‑8重量%,更优选2‑7重量%。
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