[发明专利]高纯二氧化锗连续还原为锗锭的方法无效
| 申请号： | 201010517799.3 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102031397A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 孙浩然;李云昌 | 申请（专利权）人： | 云南天浩稀贵金属股份有限公司 |
| 主分类号： | C22B41/00 | 分类号： | C22B41/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 655203 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于稀散金属的冶金领域，具体涉及用高纯二氧化锗连续还原锗锭的一种新方法。本发明的方法是在石墨舟内装入纯度大于99.99％的二氧化锗，石墨舟从石英管的预热段推入进行三段加热，预热段加热温度为550～650℃，还原段加热温度为700～750℃，铸锭段加热温度为980～1000℃，纯度大于99％的氢气由铸锭段进入，进入的氢气流量为0.2～0.3M3/H，每隔30分钟推入推入一舟GeO2，经10小时还原后，取出石墨舟中锗锭。本发明工艺流程简单，还原反应操控容易，可减少中间操作环节，具有降低能耗、提高产能、减小氢气用量优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 氧化 连续 还原 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯二氧化锗连续还原为锗锭的方法，其特征是：在石墨舟内装入纯度大于99.99％的二氧化锗，石墨舟从石英管的预热段推入进行三段加热，预热段加热温度为550～650℃，还原段加热温度为700～750℃，铸锭段加热温度为980～1000℃，纯度大于99％的氢气由铸锭段进入，进入的氢气流量为0.2～0.3M3/H，每隔30分钟推入推入一舟GeO2，经10小时还原后，取出石墨舟中锗锭。
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