[发明专利]射频单芯片系统中的屏蔽环结构无效
| 申请号： | 201010517834.1 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102456671A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种射频单芯片系统中的屏蔽环结构；屏蔽环从第一层金属开始，连接金属层间通孔和各金属层，直到顶层金属；屏蔽环通过一个NPN和PNP管的基区和集电区连接到基板上；所述NPN和PNP管的发射极连接到射频接地端。本发明可以在晶片的工艺流程中，有一个与基板的连接，从而避免由于电荷积累引起的等离子体弧形放电而造成整个芯片的损坏。另一方面，由于屏蔽环连在三极管上，在电路应用过程中，当感应电压或感应电流较大时，可通过三极管的基极和集电极直接接到发射极并由射频地流走，避免了在基板上形成较大的感生电压或电流而对电路的正常工作造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 芯片 系统 中的 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
一种射频单芯片系统中的屏蔽环结构；其特征在于，屏蔽环从第一层金属开始，连接金属层间通孔和各金属层，直到顶层金属；屏蔽环通过一个NPN三极管和一个PNP三极管的基区和集电区连接到基板上；所述NPN和PNP管的发射极连接到射频接地端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010517834.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种废旧锂离子电池负极废料的修复改性方法
- 下一篇：铜环卸料与回收系统
