[发明专利]一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法

摘要

本发明公开了一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，该方法采用等离子体增强化学气相沉积技术先在已清洗制绒的P型（或N型）硅片上沉积磷掺杂（或硼掺杂）的氮化硅减反膜，然后再进行常规高温退火处理，使得氮化硅层中的磷（或硼）部分扩散至P型（或N型）硅片中，在硅片表面形成PN结。该方法与产业化晶体硅太阳能电池生产工艺兼容，不需要复杂的POCl3或BBr3扩散和后续磷硅或硼硅玻璃的去除步骤，制作工艺更加简单，适合低成本批量化生产。

主权项

一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，其特征是，该方法为：采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺在经过表面织构化的P型硅片上沉积一层磷掺杂的氮化硅减反膜，然后对该P型硅片进行退火处理而使得氮化硅层的磷扩散到P型硅片中，并在硅片表面获得一层N型层，最终形成PN结。