[发明专利]两端子多通道ESD器件及其方法

摘要

本发明涉及两端子多通道ESD器件及其方法。在一个实施方式中，一种两端子多通道ESD器件被配置为包括齐纳二极管和多个P-N二极管。在另一个实施方式中，ESD器件具有不对称特性。

主权项

一种ESD器件，包括：半导体衬底，其具有第一导电类型和第一掺杂浓度，该半导体衬底具有第一表面和第二表面；第一半导体层，其具有第二导电类型，位于所述半导体衬底的所述第一表面上，所述第一半导体层具有与所述半导体衬底的所述第一表面相反的第一表面，并且具有第二掺杂浓度；第二半导体层，其具有第二导电类型，上覆于所述第一半导体层的所述第一表面上，所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的所述第一表面相反的第一表面，并且具有第三掺杂浓度；第一半导体区，其具有第二导电类型，至少具有位于所述第二半导体层内的一部分，所述第一半导体区形成齐纳二极管的一部分；第一阻挡结构，其形成为第一多连通域，所述第一多连通域具有第一周界并且从所述第二半导体层的第一表面延伸到所述第一半导体区中，但不穿过所述第一半导体区，所述第一周界至少围绕所述第二半导体层的第一部分；以及第一二极管，其位于所述第二半导体层的所述第一部分内。