[发明专利]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201010518422.X | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101986432A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 余泳 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种CMOS图像传感器，包括透镜和多个彩色滤光单元，所述彩色滤光单元采用拜尔图样排布，每一彩色滤光单元与所述透镜之间均设置有一遮光层，所述CMOS图像传感器的每个像素单元的奇数行彩色滤光单元对应的遮光层的面积大于或者小于偶数行彩色滤光单元对应的遮光层的面积。本发明的CMOS图像传感器能够消除因入射光线倾斜而产生的空间噪声。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，包括透镜和多个彩色滤光单元，所述彩色滤光单元采用拜尔图样排布，其特征在于，每一彩色滤光单元与所述透镜之间均设置有一遮光层，所述CMOS图像传感器的每个像素单元的奇数行彩色滤光单元对应的遮光层的面积大于或者小于偶数行彩色滤光单元对应的遮光层的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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