[发明专利]一种等离子体辅助硒硫化处理装置及工艺有效
申请号: | 201010518539.8 | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102051603A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 孙国忠;敖建平;李宝璋;张超;何青;周志强 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/52;C23C16/30;H01L31/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种等离子体辅助硒硫化处理装置,设置于真空室内,包括壳体、阴极板和阳极板,阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器,阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽,阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为:1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层,然后放入阴极板的沟槽中;2)将其置于真空室内抽真空,打开电源加热阴极板和阳极板,启动等离子体发生器电源,并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点:硒原子的反应活性高,金属预制层的硒化反应完全,光电转换效率高;基片的加热温度低,不易变形;采用电子方式监控两电极间容抗的变化,了解转化的进展,减少工业化生产的废品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 辅助 硫化 处理 装置 工艺 | ||
【主权项】:
一种等离子体辅助硒硫化处理装置,其特征在于:设置于真空室内,包括壳体、阴极板和阳极板,壳体为长方体结构,设有两块侧板和底板,阴极板和阳极板在壳体内平行间隔交替叠放并固定在壳体的底板上,阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器,壳体的侧板即为等离子体发生器的外壳,阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽,阴极板上设有均匀分布1~4个独立内加热电极和电池基片测温点,阳极板为腔体结构,阳极板表面均布小孔,孔径0.5mm~1.5mm,孔间距5mm~20mm,阳极板上设有输气管与腔体相通,阳极板上设有均匀分布1~3个独立内加热电极和阳极测温点,阴极板和阳极板分别设有极柱并与真空室外的等离子体发生电源连接,所述内加热电极、测温点和输气管分别与真空室外的加热电源、电路及气路连接,内加热电极与测温点通过自动控温系统PID形成闭环温度控制,气路上设有气体流量计。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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