[发明专利]信息存储元件及其驱动方法无效
| 申请号： | 201010518624.4 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102054524A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;大石雄纪 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种信息存储元件及其驱动方法，信息存储元件包括：字电极，包括连续形成并且导电的第一磁性材料；非磁性膜，与字电极的第一磁性材料接触地形成；第二磁性材料，经由非磁性膜连接至第一磁性材料；磁化设定机构，设置在字电极的两个端部的至少一个端部附近并且设定字电极的端部的磁化方向；矫顽力减小机构，减小第二磁性材料的矫顽力；以及导电性位电极，形成以兼作第二磁性材料或者与第二磁性材料平行地形成，连续形成位电极以与字电极交叉。 | ||
| 搜索关键词： | 信息 存储 元件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种信息存储元件，包括：字电极，包括连续形成并且导电的第一磁性材料；非磁性膜，与所述字电极的第一磁性材料接触地形成；第二磁性材料，经由所述非磁性膜连接至所述第一磁性材料；磁化设定机构，设置在所述字电极的两个端部的至少一个端部，并设定所述字电极的所述端部的磁化方向；矫顽力减小机构，减小所述第二磁性材料的矫顽力；以及导电性位电极，被形成为兼作所述第二磁性材料或者与所述第二磁性材料平行地形成，所述位电极连续形成以与所述字电极交叉。
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