[发明专利]化学机械研磨方法无效
| 申请号： | 201010518631.4 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102452039A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 李协吉 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械研磨方法，包括：提供晶片和化学机械研磨设备，所述晶片具有停止层，停止层上方具有待研磨层，所述化学机械研磨设备具有研磨垫；对所述研磨垫进行修整；利用修整后的研磨垫对晶片进行多步研磨步骤，所述各步研磨步骤的时间小于等于最佳研磨时间，所述各个研磨步骤的时间之和大于最佳研磨时间；在各步研磨步骤之后，采用所述化学机械研磨设备检测所述停止层，若未检测到所述停止层，则对所述研磨垫进行修整；若检测到所述停止层，则停止研磨步骤。所述方法使得改善了研磨后晶片表面的膜厚均匀度和色差，减少研磨工艺对晶片表面的划伤。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：提供晶片和化学机械研磨设备，所述晶片具有停止层，停止层上方具有待研磨层，所述化学机械研磨设备具有研磨垫；对所述研磨垫进行修整；利用修整后的研磨垫对晶片进行多步研磨步骤，所述各步研磨步骤的时间小于等于最佳研磨时间，所述各个研磨步骤的时间之和大于最佳研磨时间；在各步研磨步骤之后，采用所述化学机械研磨设备检测所述停止层，若未检测到所述停止层，则对所述研磨垫进行修整；若检测到所述停止层，则停止研磨步骤。
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