[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及有机电致发光设备有效
| 申请号： | 201010518645.6 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102097486A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 金光淑;朴镇成 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机电致发光设备。该薄膜晶体管包括：基底；栅电极，形成在基底上；栅极绝缘层，形成在基底的暴露部分和栅电极上；氧化物半导体层，形成在栅极绝缘层上以对应栅电极并包括HfInZnO基氧化物半导体，其中，基于按原子计100％的Hf、In和Zn的总浓度，氧化物半导体层中的Hf的浓度按原子计在大约9％至大约15％；源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别形成为在氧化物半导体层的两侧上以及栅极绝缘层上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 有机 电致发光 设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基底；栅电极，形成在基底上；栅极绝缘层，形成在基底的暴露部分和栅电极上；氧化物半导体层，形成在栅极绝缘层上并包括HfInZnO基氧化物半导体；源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别形成为在氧化物半导体层的两边上和栅极绝缘层上延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社，未经三星移动显示器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010518645.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种空心节能烧水壶
- 下一篇：一种操作安全的高效高质蒸饭柜
- 同类专利
- 专利分类
