[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010518685.0 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102097487A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 金光淑;金民圭 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括：基底；栅电极，形成在基底上；栅极绝缘层，形成在基底的暴露部分和栅电极上；氧化物半导体层，形成在栅极绝缘层上以对应于栅电极，并包括HfInZnO基氧化物半导体，其中，氧化物半导体层具有Zn浓度梯度；源区和漏区，分别形成在氧化物半导体层的两边上，并且形成在栅极绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基底；栅电极，形成在基底上；栅极绝缘层，形成在基底的暴露部分和栅电极上；氧化物半导体层，形成在栅极绝缘层上并包括HfInZnO基氧化物半导体，其中，氧化物半导体层具有Zn浓度梯度；源区和漏区，所述源区和漏区分别形成在氧化物半导体层的两边上，并且所述源区和漏区形成在栅极绝缘层上。
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