[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010519477.2 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101964356A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 胡志远;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。本发明所提供的半导体器件包括有源区以及浅沟槽隔离区，其中所述有源区包括源极区域、漏极区域以及栅极区域，并且所述栅极区域上方布置有多晶硅栅极，其中在沿着所述半导体器件的多晶硅栅极的宽度方向上，浅沟槽隔离区的侧壁的轮廓是不平坦的。由于漏电流是沿着浅沟槽隔离区侧壁的沟道产生的，所以本发明能够通过使浅沟槽隔离区侧壁的漏电路径加长，从而减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括有源区以及浅沟槽隔离区，其中所述有源区包括源极区域、漏极区域以及栅极区域，并且所述栅极区域上方布置有多晶硅栅极，其特征在于，在沿着所述半导体器件的多晶硅栅极的宽度方向上，浅沟槽隔离区的侧壁的轮廓是不平坦的。
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