[发明专利]基于超声驻波的微流控筛选芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010519669.3 申请日: 2010-10-26
公开(公告)号: CN101966473A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 国世上;赵兴中;李思晢;邓宇亮 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;B81C1/00;G01N1/28;G01N33/48
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430072*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于超声驻波的微流控筛选芯片及其制备方法。其产品由载玻片、带有驻波反应腔的硅片、压电陶瓷和夹具所构成。硅片上的驻波反应腔由深度反应离子刻蚀法在硅片上形成的驻波反应沟道及其进、出样孔口所构成。载玻片覆盖在硅片上,其与硅片上驻波反应腔进、出样孔口对应的位置处开有对应的进、出样孔口,并在其孔壁和孔口周围键合有一层有机高分子材料。压电陶瓷耦合在硅片底部,并在其正反面分别引出导线。夹具由螺栓连接的上、下夹板所构成,其可将载玻片和硅片紧紧连成一体。本发明制作过程简单,成本低廉,具有很高的可控性和可操作性,易于拆卸和清洗,容易实现对细胞等生物活体样品的分离、捕获和操纵。
搜索关键词: 基于 超声 驻波 微流控 筛选 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于超声驻波的微流控筛选芯片,其特征在于:由载玻片、带有驻波反应腔的硅片、压电陶瓷通过夹具连成一体所构成,并且:1)所述的带有驻波反应腔的硅片,其上的驻波反应腔由深度反应离子刻蚀(DRIE)法在硅片上形成的驻波反应沟道及其进、出样孔口所构成;2)所述的载玻片覆盖在硅片上,其对应硅片上驻波反应腔进、出样孔口的位置处对应开有进、出样孔口,且孔壁和孔口周围键合有一层有机高分子材料;3)所述的压电陶瓷耦合在硅片底部,其上、下两面均设有信号连接导线;4)所述的夹具由螺栓连接的上、下夹板所构成;其上夹板覆盖在载玻片上,且其对应载玻片上进、出样孔口的位置处开有对应的孔口;其下夹板置于硅片的底部且其对应耦合在硅片底部的压电陶瓷的位置处开有对应的孔口。
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