[发明专利]浅槽金属氧化物半导体二极管无效
| 申请号： | 201010519680.X | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102064201A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;唐文雄 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯威科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人： | 孙皓;林虹 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅槽金属氧化物半导体二极管，要解决的技术问题是降低二极管的正向导通压降，提高反向击穿电压并且减小泄漏电流。本发明从底层往上依次是金属化阴极、N型重掺杂单晶硅衬底区、N-外延层、位于两侧的两个深P体区、位于深P体区上的浅槽、浅槽内侧的N型重掺杂区、二氧化硅栅氧化层、多晶硅栅电极、金属化阳极。本发明与现有技术相比，采用具有电子积累层结构和结型场效应管结构，可以获得非常低的导通压降，大大提高了击穿电压并且降低了泄漏电流，在反向电压下薄栅氧化层加速了半导体表面导电沟道的夹断，更好地实现了正向导通压降与反向恢复时间之间的折衷，使得本发明具有更好的正向导通压降和反向击穿电压之间的折衷。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
一种浅槽金属氧化物半导体二极管，其特征在于：所述浅槽金属氧化物半导体二极管的物理结构从底层往上依次是金属化阴极(1)、N型重掺杂单晶硅衬底区(2)、N‑外延层(3)、位于两侧的两个深P体区(5)、位于深P体区(5)上的浅槽(6)、浅槽(6)内侧的N型重掺杂区(7)、二氧化硅栅氧化层(8)、多晶硅栅电极(9)、金属化阳极(10)；所述金属化阳极(10)与浅槽(6)、N型重掺杂区(7)和多晶硅栅电极(9)短接；所述两个深P体区(5)与其之间的N‑外延层(3)构成结型场效应晶体管区(4)，深P体区(5)通过浅槽(6)与金属化阳极(10)短接；所述N型重掺杂区(7)、二氧化硅栅氧化层(8)、多晶硅栅电极(9)和N‑外延层(3)构成电子积累层结构(11)。
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