[发明专利]锥形电容传感器无效
申请号: | 201010519761.X | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102043082A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 张乔根;刘石;张璐;时卫东 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学;国家电网公司;中国电力科学研究院 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 颜镝 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种锥形电容传感器,包括:同轴的第一锥体和第二锥体,第一锥体内具有一密闭空间,第二锥体位于密闭空间中,在第一锥体的内表面与第二锥体的外表面之间填充有电介质膜;第一锥体的底面作为高压电极,可与外部的导体、及导体与底面之间的填充气体构成高压臂电容;第二锥体作为低压电极,可与第一锥体的锥形侧壁及电介质膜构成低压臂电容;第二锥体的锥顶与同轴电缆的连接头相连,同轴电缆的另一端作为信号输出端。本发明锥形电容传感器中形成的低压臂电容大于同一感应面积下平板电容传感器的低压臂电容,使得锥形电容传感器的变比较大;由于在电压波传播方向上的尺寸是渐变的,实现了波阻抗的平滑过渡,而不会形成折反射。 | ||
搜索关键词: | 锥形 电容 传感器 | ||
【主权项】:
一种锥形电容传感器,包括:同轴的第一锥体和第二锥体,所述第一锥体内具有一密闭空间,所述第二锥体位于所述密闭空间中,在所述第一锥体的内表面与第二锥体的外表面之间填充有电介质膜;所述第一锥体的底面作为高压电极,可与外部的导体、及导体与所述底面之间的填充气体构成高压臂电容;所述第二锥体作为低压电极,可与所述第一锥体的锥形侧壁及所述电介质膜构成低压臂电容;所述第二锥体的锥顶与同轴电缆的连接头相连,所述同轴电缆的另一端作为信号输出端。
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