[发明专利]一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010520266.0 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102136492A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李越强;王晓东;徐晓娜;刘雯;陈燕玲;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 组织 量子 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于自组织量子点的存储器，其特征在于，该存储器包括纵向的多层外延材料结构和在该多层外延材料结构表面制备的类似场效应晶体管结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010520266.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有源天线的信号接收方法和信号接收机
- 下一篇：一种新式低压电器功能触头
- 同类专利
- 专利分类
