[发明专利]通过电子附着除去表面氧化物的方法有效
申请号: | 201010520293.8 | 申请日: | 2010-09-02 |
公开(公告)号: | CN102044418A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 董春;R·高希;G·K·阿斯拉尼安 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 段晓玲;李炳爱 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文描述了方法和装置,用于在至少部分基片表面上的目标区域内去除金属氧化物和/或形成焊点。在一个特定的具体实施方式中,基片包括具有许多焊料凸起的层,所述方法和装置通过提供一个或多个激发电极并使至少部分层和焊料凸起暴露于激发电极用以实现在基片上还原金属氧化物和形成焊点。 | ||
搜索关键词: | 通过 电子 附着 除去 表面 氧化物 方法 | ||
【主权项】:
从基片的处理表面去除金属氧化物的方法,该方法包括:提供邻近具有接地电位的基电极的基片,该基片包括含有金属氧化物的处理表面;提供邻近基电极和基片的激发电极,其中至少部分处理表面暴露于激发电极且其中基电极和激发电极及基片位于目标区域内,其中激发电极由包含突出的导电端阵列的绝缘板限定,其中导电尖端通过导线电连接,其中部分所述阵列分成第一电连接组和第二电连接组,其中第一或第二电连接组中的一个与正偏压的DC电压电源连接,和第一或第二电连接组中的另一个与负偏压的DC电压电源连接,且其中正偏压的DC电压电源和负偏压的DC电压电源与能交替负偏压的DC电压电源和正偏压的DC电压电源间的能量供给的功能控制器电连接;使包含还原气体的气体混合物通过目标区域;通过启动负偏压的DC电压电源激发导电尖端行以在所述目标区域内产生电子,其中至少部分电子附着于至少部分还原气体从而形成带负电的还原气体;使处理表面与带负电的还原气体接触以还原基片处理表面上的金属氧化物;以及通过启动正偏压的DC电压电源激发成排的导电尖端以从处理表面回收过量的电子,其中与负偏压的DC电压电源电连接的成排的导电尖端和与正偏压的DC电压电源电连接的成排的导电尖端不同时激发;其中激发电极进一步包括内部空间和与内部空间流体连通的气体入口,其中至少部分导电端具有与内部空间流体连通的内部通路,其中至少部分还原气体通过气体入口进入内部空间和通过内部通路进入目标区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造