[发明专利]双向静电放电保护电路及相关的射频识别标签

摘要

一种双向静电放电保护电路及相关的射频识别标签，该电路包括一双向硅控整流器，形成在一基板中，双向硅控整流器包括一第一P型阱区及一第二P型阱区，位于一N型阱区的两侧；一深N型阱区，位于第一P型阱区、第二P型阱区及N型阱区之下；一第一N型区及一第二N型区，分别在第一P型阱区及第二P型阱区中，第一N型区及第二N型区分别耦接至一第一接垫及一第二接垫；以及一第一P型区及一第二P型区，分别在第一N型阱区及第二N型阱区中，第一P型区及第二P型区分别耦接至第一接垫及第二接垫，第一P型区及第二P型区分别较第一N型区及第二N型区接近N型阱区。本发明不受闩锁效应影响并且在射频识别标签正常运行下形同不存在。

主权项

一种双向静电放电保护电路，包括：一双向硅控整流器，形成在一基板中，上述双向硅控整流器包括：一第一P型阱区及一第二P型阱区，位于一N型阱区的两侧；一深N型阱区，位于上述第一P型阱区、上述第二P型阱区及上述N型阱区之下；一第一N型区及一第二N型区，分别在上述第一P型阱区及上述第二P型阱区中，上述第一N型区及上述第二N型区分别耦接至一第一接垫及一第二接垫；以及一第一P型区及一第二P型区，分别在上述第一N型阱区及上述第二N型阱区中，上述第一P型区及上述第二P型区分别耦接至上述第一接垫及上述第二接垫，上述第一P型区及上述第二P型区分别较上述第一N型区及上述第二N型区接近上述N型阱区。