[发明专利]非易失性存储器单元集成电路及其制造方法无效
| 申请号： | 201010521601.9 | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102064198A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 廖意瑛 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;G11C16/04;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器单元集成电路及其制造方法。该集成电路包含：电荷捕捉结构，用来储存电荷以控制由该非易失性存储器单元集成电路储存的逻辑状态；源极区与漏极区，以沟道区分离；以及一个或多个介电结构，至少部分位于该电荷捕捉结构与该沟道区之间，并至少部分位于该电荷捕捉结构与栅极电压源之间，其中界面分离该一个或多个介电结构的一部分以及该沟道区，该界面的第一端结束于该源极区的中间部分，且该界面的第二端结束于该漏极区的中间部分。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 单元 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器单元集成电路，包含：电荷捕捉结构，用来储存电荷以控制由该非易失性存储器单元集成电路储存的逻辑状态；源极区与漏极区，以沟道区分离；以及一个或多个介电结构，至少部分位于该电荷捕捉结构与该沟道区之间，并至少部分位于该电荷捕捉结构与栅极电压源之间，其中界面分离该一个或多个介电结构的一部分以及该沟道区，该界面的第一端结束于该源极区的中间部分，且该界面的第二端结束于该漏极区的中间部分。
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