[发明专利]发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010521656.X 申请日: 2010-10-27
公开(公告)号: CN102024897A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 俞国庆;杨红颖;王宥军;李瀚宇;李俊杰;王蔚 申请(专利权)人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 215126 江苏省苏州市苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法,晶圆级封装结构包括:位于单元基底第一表面的第一开口;位于单元基底第一表面的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上导线,且导线之间相互电隔离;位于所述导线上的凸点,用于与发光二极管的裸芯片的电极电连接;位于单元基底第二表面的第二开口,且所述第二开口与第一开口相对;引脚区,位于所述基底的第二表面上;引脚线且与所述导线对应电连接。本发明通过在基底的第二表面形成引脚线将发光二极管的电极引出,即本技术方案中发光二极管的引脚线与发光二极管位于基底的两个对立面内,这样可以减小所需基底面积;而且在后续封装结构中无需打金线技术将其电极引出,进一步减小了封装后的体积。
搜索关键词: 发光二极管 晶圆级 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管的晶圆级封装结构,包括:单元基底,所述单元基底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;其特征在于,还包括:位于单元基底第一表面的、至少一个的第一开口;位于单元基底第一表面且位于第一开口侧壁和底部的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上的、至少两条导线,且导线之间相互电隔离;位于所述导线上的凸点,用于与发光二极管的裸芯片的电极对应电连接;位于单元基底第二表面的、至少一个的第二开口,且所述第二开口与第一开口相对;至少两个引脚区,位于所述基底的第二表面上,相互分立;引脚线,位于引脚区内,相互电隔离并且与所述导线对应电连接。
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